Transistor MOSFET de potência IRF640 encapsulamento TO-220.

Código: BM3006
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Transistor MOSFET de potência IRF640 encapsulamento TO-220.

Características
- Canal N (N-Channel).
- Tensão drain-source: 200 V.
- Resistência drain-source (ON-em saturação) 0,18 Ω Vgs = 10 V.
- Capacitância de gate, Qg(Max.): 70 nC.
- Capacitância de gate-source, Qgs: 13 nC.
- Capacitância gate-drain, Qgd: 29 nC.

Mais detalhes no datasheet.
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